Was ist HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie)?

Gasphasenabscheidung mit Galliumchlorid, das aus der Reaktion von HCl mit Gallium entsteht, und Ammoniak. Die sehr hohe Wachstumsrate wird genutzt, um dicke GaN-Kristalle für freistehende Substrate zu züchten.

Japanische Bezeichnung: HVPE(ハイドライド気相成長)

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum

Verwandte Begriffe

4H-SiC Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO) MBE (Molekularstrahlepitaxie)

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