Was ist Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO)?

Kristallwachstum aus Maskenöffnungen, wobei sich der Kristall seitlich über die Maske ausbreitet. Versetzungen von unten setzen sich nicht in die überwachsenen Bereiche fort, was Versetzungen in Materialien wie GaN verringert.

Japanische Bezeichnung: 横方向エピタキシャル成長(ELO)