Was ist Selektives epitaktisches Wachstum?

Ein Verfahren, das Kristall nur dort aufwachsen lässt, wo Silizium freiliegt, nicht auf von Isolierschicht bedeckten Bereichen. Es wird unter anderem für SiGe in Source und Drain von Transistoren genutzt.

Japanische Bezeichnung: 選択エピタキシャル成長

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum

Verwandte Begriffe

4H-SiC Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO)

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