ヘテロエピタキシー란?

へてろえぴたきしー

基板と異なる材料の単結晶膜を成長させること。シリコン上のSiGeや、サファイア上のGaNなど。同じ材料の場合はホモエピタキシー。

일본어 명칭: ヘテロエピタキシー

분야: 에피택셜 성장

관련 용어

4H-SiC 格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MBE(分子線エピタキシー)

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