Moderne Transistoren (FinFET, GAA)
Welche Aussage über den Anschluss des unteren der beiden gestapelten Transistoren in einem CFET (komplementärer FET) ist richtig?
- ADer untere Transistor hat kein Gate, daher müssen nur Source und Drain angeschlossen werden
- BDa der obere Transistor direkt darüber liegt, müssen Verbindungen von der Vorderseite um ihn herumgeführt werden, und ein direkter Anschluss des unteren Transistors von der Rückseite wird untersucht
- COberer und unterer Transistor teilen sich alle Sources und Drains, daher braucht der untere keinen eigenen Anschluss
Antwort und Erläuterung anzeigen
Antwort: B. Da der obere Transistor direkt darüber liegt, müssen Verbindungen von der Vorderseite um ihn herumgeführt werden, und ein direkter Anschluss des unteren Transistors von der Rückseite wird untersucht
Ein CFET (komplementärer FET) stapelt nMOS und pMOS vertikal, um die Zellfläche zu verkleinern. Gates und Ausgang können gemeinsam genutzt werden, die Sources müssen aber jeweils an eine andere Versorgung (VDD und VSS) angeschlossen werden. Um den unteren Transistor von der Vorderseite zu erreichen, ist ein tiefer Kontakt nötig, der am oberen Transistor vorbeigeführt wird, was die Verdrahtung in der kleinen Zelle verdichtet. Daher wird untersucht, den unteren Transistor direkt von der Waferrückseite anzuschließen und dies mit der rückseitigen Stromversorgung (Backside Power Delivery) zu kombinieren; auf der IEDM 2023 berichtete Intel über einen funktionierenden CFET-Inverter mit direktem Rückseitenanschluss des unteren Transistors.
Weiter: 9 weitere Fragen zu Moderne Transistoren (FinFET, GAA)