Moderne Transistoren (FinFET, GAA)
Welche Aussage zu Gate-All-Around-(GAA-)Transistoren ist richtig?
- ADas Gate bedeckt nur die Oberseite des Kanals
- BDas Gate umschließt den Kanal, z. B. einen Nanosheet, auf dem gesamten Umfang
- CEs gibt kein Gate, und der Transistor arbeitet nur mit Source und Drain
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Antwort: B. Das Gate umschließt den Kanal, z. B. einen Nanosheet, auf dem gesamten Umfang
Der GAA-Typ ist eine Struktur, bei der mehrere dünne, blattförmige (Nanosheet) oder drahtförmige Kanäle mit einer Dicke von einigen nm gestapelt und auf dem gesamten Umfang vom Gate umschlossen werden. Da von vier Seiten gesteuert wird, ist die Gate-Kontrolle noch stärker als beim FinFET, und Kurzkanaleffekte lassen sich bis zu kürzeren Gate-Längen unterdrücken. Samsung setzt ihn in der 3-nm-Generation (2022), TSMC in der 2-nm-Generation und Intel in der 18A-Generation ein; er ist die nächste Standardstruktur nach dem FinFET.