Halbleiter-Rechner
Kostenlose Browser-Rechner für die Zahlen, mit denen Chipentwickler täglich arbeiten: Dies pro Wafer und Ausbeute, Lithografie-Auflösung, Timing-Slack und mehr.
Rechner für Dies pro Wafer und AusbeuteDies pro Wafer, Ausbeute (Poisson, Murphy, negativ binomial) und Kosten pro gutem Die, mit WafermapRechner für Lithografie-Auflösung und FokustiefeAuflösung (Half-Pitch), Fokustiefe und Pitch-Aufteilung aus Wellenlänge, NA und k1Rechner für Setup- und Hold-TimingSetup- und Hold-Slack sowie maximale Taktfrequenz für einen Flipflop-zu-Flipflop-PfadMOSFET-I-V-Kennlinien (ID–VDS)Vth, W/L und λ ändern und die ID–VDS-Kennlinien sowie den Arbeitspunkt sehen: Bereich, ID, gm und roFragenset erstellenThemen und Fragenanzahl wählen und einen teilbaren Quiz-Link für Unterricht und Schulungen erhaltenRechner für Sperrschichttemperatur und WärmewiderstandSperrschichttemperatur, Reserve bis Tj(max) und maximale Leistung aus Verlustleistung und WärmewiderstandSpeicherbandbreiten-RechnerSpitzen- und effektive Bandbreite von DDR, LPDDR, GDDR und HBM aus Transferrate und BusbreiteADC-SNR und effektive Bitzahl (ENOB)SNR und effektive Bitzahl eines ADC aus Auflösung, Taktjitter und ÜberabtastungAmdahlsches Gesetz und parallele BeschleunigungBeschleunigung und parallele Effizienz aus parallelem Anteil und Prozessorzahl nach dem Amdahlschen und Gustafsons GesetzCache-Adressaufteilung und mittlere SpeicherzugriffszeitTag-, Index- und Offset-Bits sowie mittlere Speicherzugriffszeit aus Cache-Größe, Zeilengröße und AssoziativitätLeistungsaufnahme von CMOS-Schaltungen (dynamisch und statisch)Dynamische und statische Verlustleistung aus Aktivitätsfaktor, Kapazität, Spannung, Frequenz und Leckstrom, dazu die Leistung nach DVFSDiffusionsspannung und Raumladungszone am PN-ÜbergangDiffusionsspannung, Weite der Raumladungszone, maximale Feldstärke und Sperrschichtkapazität eines PN-Übergangs aus Dotierung und SperrspannungDicke des thermischen Oxids (Deal-Grove-Modell)Dicke des Siliziumoxids und verbrauchtes Silizium aus Temperatur, Zeit, trockener oder nasser Atmosphäre und Orientierung nach dem Deal-Grove-Modell