為了在微細電晶體的源極、汲極形成淺接面，下列何種做法正確？

正確答案：C. 以低能量佈植，並進行極短時間加熱的退火（尖峰退火或雷射退火等）

要形成淺接面，首先以1 keV以下等低能量進行淺層佈植。接著為避免雜質在退火時擴散而使接面變深，會採用不在最高溫停留、立即降溫的尖峰退火（約1050 ℃、一秒以下），或以毫秒以下僅加熱表面的閃光燈退火、雷射退火，在將擴散抑制在數nm的同時使其活化。也會搭配共佈植與預非晶化。