雷射退火的特徵，下列何者正確？

正確答案：C. 可在極短時間內僅加熱晶圓表面附近，在抑制擴散的同時得到高活化

雷射退火是以雷射光在微秒～奈秒左右的極短時間內，僅使表面附近達到1000 ℃以上（依條件有時接近熔點）。可在雜質幾乎來不及擴散時就得到高活化，因此能形成淺而低電阻的接面。由於熱不會傳到很深處，也用於IGBT背面層的形成、堆疊於上層的電晶體形成等不希望損傷下層的製程。