MOSFET

增強型n通道MOSFET導通(ON)的正確條件為下列何者?(VGS:閘極-源極間電壓,Vth:臨界電壓)

  1. AVGS為0 V
  2. BVGS大於Vth
  3. CVGS為負電壓
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正確答案:B. VGS大於Vth

增強型nMOSFET中,當對閘極施加超過Vth的正電壓時,電子會被吸引到p型基板表面而形成反轉層(通道),電流便在源極與汲極之間流動。VGS = 0 V時沒有通道而處於關閉狀態,因此即使閘極浮接也不易有電流流過(常閉型),適合邏輯電路與功率用途的安全性。Vth在先進邏輯製程中通常為0.2~0.4 V,功率用途則約為1~4 V。

n通道MOSFET的剖面(導通狀態) p型基板 源極 n⁺ 汲極 n⁺ 閘極 VGS > Vth 電子反轉層(通道) 閘極氧化層
n通道MOSFET的剖面(導通狀態) · 在圖解集中查看
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