在以高頻量測p型基板MOS電容器所得的C-V特性中，對閘極施加較大的正電壓使其強反轉時，電容會如何？

正確答案：A. 幾乎為最小值而固定

在高頻（通常為1 MHz）下，反轉層中少數載子的產生跟不上訊號的變化，反轉層無法對交流電容有所貢獻。因此電容由Cox與最大空乏層寬度的空乏層電容串聯決定，成為幾乎固定的最小值。在低頻（準靜態）下，反轉層有回應，電容會回到Cox。從最小電容與最大電容的比值可求出基板的雜質濃度，用於評估MOS結構。

• A. 正確。高頻下反轉層無法跟隨，因此在最小值固定。
• B. 電容不會變為無限大。
• C. 等於Cox的是累積狀態，或在低頻下反轉時。