6T SRAM 셀에서 읽기 시 셀의 내용이 반전되지 않도록(읽기 파괴를 방지하도록) 하기 위해 필요한 설계로 올바른 것은?

정답: C. 풀다운(구동) 트랜지스터를 액세스 트랜지스터보다 강하게 한다

읽기 시, 0을 유지하는 노드에는 프리차지된 비트선에서 액세스 트랜지스터를 통해 전류가 흘러 들어와 전압이 조금 올라갑니다. 풀다운 트랜지스터가 액세스 트랜지스터보다 충분히 강하면(셀 비 β = 풀다운/액세스를 1.5~2.5 정도로), 이 상승이 반대쪽 인버터의 문턱 전압보다 작게 억제되어 데이터가 반전되지 않습니다. 8T 셀이나 읽기 어시스트로도 대책을 세울 수 있습니다.

• A. 액세스 트랜지스터가 너무 강하면 읽기 시 셀이 반전되기 쉬워집니다.
• B. 풀업 트랜지스터가 없으면 셀은 1을 유지할 수 없습니다.
• C. 올바릅니다. 풀다운을 액세스보다 강하게 하여 0 노드의 부상을 억제합니다.