반도체 물리

실리콘에서 전자와 정공의 이동도를 비교한 것으로 올바른 것은?

  1. A전자의 이동도가 더 크다
  2. B정공의 이동도가 더 크다
  3. C둘은 항상 같다
정답과 해설 보기

정답: A. 전자의 이동도가 더 크다

실리콘에서는 실온·저불순물 농도에서 전자의 이동도가 약 1400 cm²/V·s, 정공이 약 450 cm²/V·s로 전자가 약 3배 큽니다. 정공의 유효 질량이 큰 것이 주된 이유입니다. 그래서 같은 치수라면 nMOS가 더 큰 전류를 흘릴 수 있으며, CMOS에서는 pMOS의 게이트 폭을 nMOS의 2~3배로 하여 구동력을 맞추는 것이 기본입니다. 첨단 공정에서는 SiGe에 의한 압축 변형으로 pMOS의 이동도를 높이고 있습니다.

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