為了讓封裝變薄，在切割之前研磨晶圓背面使其變薄的製程稱為什麼？

正確答案：A. 背面研磨（backgrind）

背面研磨是在以保護膠帶保護晶圓表面的同時，以旋轉的砂輪研磨背面，將約750 µm左右的厚度磨薄到指定厚度。在堆疊晶片的記憶體等產品中，也會薄到數十µm。研磨產生的損傷層會成為破裂的原因，因此以拋光或蝕刻去除。CMP是表面的平坦化，回蝕則是將整面薄膜削除的製程。