미세한 레지스트 패턴의 측면에 생기는 나노미터 단위의 요철을 나타내는 지표는?

정답: C. 라인 엣지 러프니스(LER)

LER은 패턴 측면의 울퉁불퉁한 크기(보통 3σ로 나타냄)를 나타내는 지표이며, 선폭의 편차로 나타낸 것은 LWR이라고 합니다. 선폭이 20 nm 전후가 되면 2~3 nm의 요철도 선폭의 10%를 넘어 트랜지스터의 문턱 전압이나 배선 저항 편차의 원인이 됩니다. 레지스트 분자의 크기, 산의 확산, 광자 수의 확률적 요동이 원인이며, 식각에서의 평활화 등으로 개선합니다.