先進電晶體(FinFET與GAA)

下列關於電晶體微縮的主要目的,何者正確?

  1. A為了一定要增加晶片的功耗
  2. B為了讓單一電晶體變大變重
  3. C為了在相同面積內整合更多電晶體,改善性能、功耗與成本
查看答案與解析

正確答案:C. 為了在相同面積內整合更多電晶體,改善性能、功耗與成本

電晶體變小後,相同面積內可整合更多電路,每個電晶體的成本隨之下降。電容變小,也有望提升速度、降低功耗,同時改善這三項(PPA:性能、功耗、面積)就是微縮的目的。依照摩爾定律,積體度大約每兩年增為兩倍,但近年來因製造成本上升,每個電晶體的成本下降已趨緩。

  • A. 微縮一般是朝降低每個電路功耗的方向。
  • B. 微縮是將電晶體變小。
  • C. 正確。提高積體度以改善性能、功耗與成本。
練習這個領域 前往領域頁面

先進電晶體(FinFET與GAA)的其他題目

  1. 奈米片型 GAA 電晶體中的「奈米片」所指為何,下列何者正確?
  2. 「High-k 閘極絕緣膜」中的 k 表示什麼?
  3. 在鰭片高度 50 nm、寬度 6 nm 的 FinFET 中,每根鰭片的有效通道寬度(閘極包覆的周長)最接近下列何者?
  4. 為了在 FinFET 中充分抑制短通道效應,一般對鰭片寬度的要求為何?
  5. 在 High-k/金屬閘極電晶體中,常在矽與 High-k 膜(鉿系氧化膜等)之間設置極薄的 SiO2 等層,其原因為何?

這個領域的比較