先進電晶體（FinFET與GAA）

以突破次臨界擺幅 60 mV/dec 之極限為目標而研究的元件是哪一個？

  1. A二極體
  2. B閘流體
  3. C穿隧 FET 或負電容 FET
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正確答案：C. 穿隧 FET 或負電容 FET

一般的 MOSFET 是靠載子以熱方式越過能障的機制，因此在室溫下無法比 60 mV/dec 更陡峭地切換，成為降低電源電壓的障礙。穿隧 FET 藉由源極與通道之間的帶間穿隧來導通電流，因此不受熱分布限制；負電容 FET 則利用鐵電體的負電容在內部放大閘極電壓，兩者都以低於此極限為目標。導通電流小等是課題。

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