薄膜沉積（CVD與PVD） 以LPCVD沉積多晶矽膜時，一般使用的原料氣體為下列何者？ A氬 B矽烷（SiH4） C二氧化碳 查看答案與解析 正確答案：B. 矽烷（SiH4） 多晶矽是將矽烷在約600～650 ℃熱分解（SiH4 → Si + 2H2）而沉積。晶粒大小隨成膜溫度而異，低於約580 ℃時會成為非晶矽。用於閘極電極（High-k之前）、電阻、DRAM與快閃記憶體的電極、MEMS的結構體等，並在成膜中或事後摻入雜質以降低電阻。