矽光子是什麼?用光配線的晶片原理
矽光子,是在和電腦晶片相同的矽板上,製作處理光的元件的技術。包括光的通道、讓光明滅的元件,以及把光變回電的元件等。在資料中心裡,用電線傳送會讓損耗和耗電變大的距離,就用它把資料轉成光來傳送。只有發光的雷射,因為矽不擅長,所以交給其他材料負責。
這篇文章可以了解
- 用光而不是用電來傳送資料,有什麼好處
- 光的通道(光波導)、調變器、光偵測器的原理
- 只有雷射要另外準備的原因
- 在資料中心的光收發模組和CPO中的用法,以及尚待解決的課題
先備知識:只要知道通訊會用到光纖就夠了。雷射的原理,可以在「半導體雷射是什麼?」中讀到。
生活中的例子
看影片、或向AI聊天機器人提問時,資料都會經過資料中心。資料中心是擺放大量伺服器(負責計算的電腦)的建築物。伺服器之間,以及負責分配資料去向的設備,主要用光纖連接。
光纖的兩端,插著用手指就能捏起來的小元件。它把電訊號轉成光送出,再把收到的光變回電,稱為光收發模組。光在光纖中前進的原理,在「網際網路怎麼傳送資料?」中也有提到。
在這個光收發模組裡工作的,就是矽光子晶片。例如Intel在2016年,開始出貨使用這項技術、每秒100 Gb(Gb是十億位元)的產品。根據該公司的產品頁面,從2016年起出貨的晶片已超過800萬顆(截至2025年)。
為什麼用光,而不是用電來傳送
電的配線,是讓銅線的電壓升高、降低,來傳送0與1。要傳得快,就必須快速重複升降。但變化越快,電流越只集中在導線表面附近流動,變成熱而損失的部分也會增加。支撐導線的基板材料,也是變化越快,吸收的訊號能量越多。
因此電訊號傳得越快、越遠,就會越弱,波形也越走樣。為了讓接收端能讀取,需要把訊號放大、修整波形的電路,而這些電路會耗電。晶片內細導線造成延遲的原理,在「時間常數RC是什麼?」中說明。
光纖的情況就不同了。通訊用的紅外光,前進1 km也只減弱約4%。即使讓光明滅得更快,在光纖中減弱的程度也幾乎不變。這裡為了簡化,省略了光的顏色範圍造成的波形走樣。
不過用光傳送時,兩端必須在電與光之間轉換。轉換元件也需要電力和費用,所以極短的距離至今仍使用銅線。NVIDIA在2024年發表的GB200 NVL72,在1個機櫃中裝了72顆GPU(負責AI計算的晶片)。連接它們的,是大約5,000條銅纜線。
矽光子是什麼
矽光子,是在矽晶圓(製作晶片的圓形薄板)上製作光電路的技術。用光把電路圖形印上去,再削掉不要的部分,製程和一般晶片很相似(「半導體晶片是怎麼做出來的?」)。因此,能把細小的元件以相同形狀大量製造。
矽能用在光電路上,是因為它能讓通訊用的紅外光順利通過。物質會吸收光,是在光粒子的能量,大於把電子往上推所需的能量階差時。這個階差稱為能隙。對矽來說,波長比約1,100 nm長的光能量不夠,幾乎不被吸收就穿過去。對通訊使用的1310 nm或1550 nm的光而言,矽就像一片透明的板子。
1片晶片上主要製作3種元件:光的通道、讓光明滅的元件,以及把光變回電的元件。下圖表示傳送端與接收端的流程。
元件1:光的通道「光波導」
在光纖中,光是在玻璃的細芯裡前進。在晶片上擔任同樣角色的是光波導,矽光子用細的矽線當作芯。線的周圍,用和玻璃成分相同的氧化矽包住。
光在物質中,前進得比在真空中慢。表示變慢多少的數字稱為折射率,數字越大,前進越慢。以通訊用的光來比較,矽約為3.5,氧化矽約為1.45。
光從前進較慢的物質,以淺角度射向前進較快的物質時,會在交界處全部反射回去。這稱為全反射。矽芯中的光,會在與周圍氧化矽的交界處不斷反射,不會跑到外面,一路前進。
折射率的差越大,越能把光緊緊地關在小小的芯中。常用的芯截面,寬約0.5 µm、厚約0.22 µm。比頭髮的粗細(約0.05〜0.1 mm)的百分之一還要細。即使急轉彎,光也不容易漏出,所以能把元件密密地排在狹小的地方。
元件2:讓光明滅的「調變器」
雷射保持點亮,光的強弱交給另一個元件來決定。這個元件稱為調變器。在矽中,是用電壓增減光波導裡的電子或電洞(電子的空位)的數量。這樣折射率會稍微改變,光波的前進就會稍微延遲或提前。
不過,只讓波稍微錯開,光的亮度並不會改變。因此馬赫-曾德調變器會把光分成2條路,只讓其中一邊的波錯開,再讓兩者合流。波峰與波峰對齊合流就變亮,波峰與波谷重疊就互相抵消而變暗。矽的折射率變化很小,所以路的長度要數mm。
另一種方法是使用環形共振器。在光波導的旁邊,放一個直徑10〜數十µm的小環狀光波導。這裡把波長不同的光稱為「顏色不同的光」(其實是眼睛看不見的紅外光)。只有環繞1圈的長度剛好是波長整數倍的那種顏色,才會進入環中不斷繞圈。2005年,美國康乃爾大學的團隊用直徑12 µm的環讓光明滅。
用電壓稍微改變環的折射率,進入環的顏色就會偏移。於是某個顏色的光,會在「直接通過」和「進入環而減弱」之間切換。它可以做得比馬赫-曾德型小得多,但有對溫度敏感的弱點(在課題一節說明)。
元件3:把光變回電的「鍺光偵測器」
在接收端,要把光變回電。使用的是受光時會流出電流的光二極體。光粒子被半導體吸收後,會產生成對的電子與電洞,這就成為電流。
但是,矽幾乎不吸收1310 nm或1550 nm的光。對光的通道有利的性質,在這裡反而成了缺點。所以,把和矽同屬14族元素的鍺(Ge),以晶體的形式長在光波導上。鍺的階差(能隙)較小,可以吸收這些光並轉成電流。
這樣做出的受光部分,稱為鍺光偵測器。鍺可以長在矽上,也容易和矽晶圓廠的製程搭配。因此,接收端的元件也能整合在同一片晶片上。
只有雷射要另外準備
只有光源無法用矽製作。矽是間接能隙半導體,電子與電洞相遇時,能量大多變成熱而不是光。詳細內容請見「半導體雷射是什麼?」和「直接能隙與間接能隙半導體的差異」。
因此,要搭配擅長發光的InP(磷化銦)等材料做成的雷射。InP是由2種元素組成的半導體(化合物半導體)。方法大致有2種。一種是把InP的小片貼合到矽晶片上。另一種是把其他元件產生的光,經由光纖送進晶片。後者的優點是雷射能遠離發熱多的地方,也比較容易更換。
用途1:資料中心的光收發模組
最大的用途,是資料中心的光收發模組。乙太網路這種通訊方式的速度規格,是由技術人員組成的團體IEEE制定的。每秒400 Gb(400G)的規格在2017年12月、800G的規格在2024年2月獲得核准。
例如400G中稱為「DR4」的種類,是在4條光纖上各傳送每秒100 Gb的光,最遠送到500 m。800G的「DR8」,則是把它增加到8條的形式。相同功能的元件,要在1片晶片上精確地排列好幾組。把細小元件整齊排列,正是半導體工廠的拿手領域,所以矽光子很適合這種用途。
用途2:CPO與AI資料中心
現在的光收發模組,多半是插在交換器(分配資料的設備)前面板插槽上的形式。從中央的大晶片到插槽之間,用電路板上的電氣配線傳送訊號。隨著1條線傳送的速度提高,這一段的損耗和耗電逐漸成為問題。
因此,把光元件放進與交換器晶片相同封裝(收納晶片、並連接到電路板的座台)的方法,正逐漸走向實用。這稱為CPO(共同封裝光學)。電氣配線變得非常短,可以減少這部分的耗電。關於封裝,可以在「半導體封裝是什麼?」中讀到。
Broadcom在2024年3月宣布,已把CPO交換器交付給客戶。這是在每秒51.2 Tb(Tb是一兆位元)的交換器晶片上,搭配8個矽光子光元件而成。該公司表示,光的部分的耗電比插拔式少70%。NVIDIA也在2025年3月發表CPO交換器,表示電力效率提高為3.5倍。發表時的計畫,是在2025年到2026年依序供貨。兩個數字都是各公司用自己的比較方式提出的值。
AI的訓練,是把非常多的GPU連在一起,當成1台大型電腦來使用。NVIDIA表示,目標是用CPO連接數百萬顆GPU的規模。連接的數量越多,每條線耗電的小差異,在整體上就越大。讓光電路與電子電路越來越靠近的這股潮流,在日本也稱為光電融合。
尚待解決的課題
與光纖的接合處
標準光纖的芯,光通過的範圍直徑約9 µm。而晶片的光波導寬度只有約0.5 µm,大小相差約20倍。直接對接的話,大部分的光都會漏掉。
因此有一種方法,是把光波導的前端逐漸變細,讓光擴散開來,在晶片邊緣與光纖對接。也有在光波導上刻出細小溝槽,把光往晶片上方彎折取出的方法。不論哪一種,光纖的位置都要以µm為單位精確對準,組裝很費工,也很花錢。
對溫度敏感
矽的折射率會隨溫度改變。所以環形共振器吸入的顏色,溫度只要上升1 ℃就偏移約0.08 nm,10 ℃就是約0.8 nm。在1條光纖中傳送多種顏色的光的方式(WDM)中,有些顏色的間隔只有約0.8 nm。也就是說,溫度變化10 ℃,就會移到相鄰顏色的位置。因此環上要裝小型加熱器,以及監看溫度並調整的電路。這也需要耗電。
組裝與更換
插拔式光收發模組壞了,可以只拔下1個來更換。CPO的光元件在封裝內部,就沒辦法這樣做。組裝前的檢測變得很重要,也有把怕熱的雷射移到封裝外、讓它可以更換的設計。NVIDIA在2025年的發表中說明,雷射的數量減少到以往的四分之一。
常見的誤解
誤解:晶片內的配線會全部換成光
實際上,在晶片內連接電晶體的,至今仍是銅配線。因為光元件就算是光波導也寬約0.5 µm,調變器更長達數mm,比電晶體大得多。距離很短時,轉換所需的電力有時反而更大。光負責的,是通往晶片或封裝外面的較長距離。「用光配線的晶片」這種說法,容易讓人以為連晶片內部都會變成光。
誤解:改用光,計算本身就會變快
實際上,矽光子是傳送資料的技術,計算由電晶體電路負責。光訊號在矽光波導中前進的速度,約為真空中光速的四分之一。並不是因為用光,送達就會快很多。改善的是:用同樣的電力,能把更多資料送得更遠。也有用光本身來計算的研究,但那是另一種技術。
誤解:資料中心的光配線已經改成CPO了
實際上,CPO產品是從2024年左右才剛開始出現。現在仍廣泛使用的,是插拔式光收發模組。它要一邊解決不易更換、組裝費用高等課題,能普及到什麼程度備受關注。因為新聞大幅報導新產品,所以容易讓人以為它已經是主流。
用數字來看
| 項目 | 數字 | 補充 |
|---|---|---|
| 光波導的芯 | 寬約0.5 µm、厚約0.22 µm | 不到頭髮的百分之一 |
| 折射率 | 矽約3.5、氧化矽約1.45 | 差越大,關住光的力量越強 |
| 光纖的芯 | 直徑約9 µm | 約為光波導的20倍 |
| 環形共振器 | 直徑10〜數十µm | 2005年的例子是12 µm |
| 環的顏色偏移 | 每1 ℃約0.08 nm | 用加熱器調整 |
| 400G、800G的規格 | 2017年、2024年 | 由IEEE核准 |
| CPO交換器 | 每秒51.2 Tb | 2024年3月發表 |
每秒51.2 Tb,相當於64個800G插槽。1個光元件負責其中的8分之1,也就是每秒6.4 Tb。
深入學習
- 發光的一端:「半導體雷射是什麼?」(也說明了使用1310 nm和1550 nm的原因)
- 用表格看差異:單模光纖與多模光纖的差異、NRZ與PAM4的差異(把光的強弱分成幾個階段)
- 下一步的用語:載子色散效應(用電子的數量改變折射率)、光柵耦合器與邊緣耦合器(與光纖的連接方式)、傳播損耗(光在光波導中減弱的比例)
- 用圖來看:馬赫-曾德調變器、環形共振器、矽光波導的截面,都有更詳細的圖(圖解一覽)
- 組合晶片的技術:「小晶片(Chiplet)是什麼?」「HBM是什麼?」
- 未來半導體的全貌:「微縮之後」