能動領域とは
のうどうりょういき
ベース-エミッタ間を順方向、ベース-コレクタ間を逆方向にバイアスした状態。ベース電流に比例したコレクタ電流が流れ、増幅に使う。
この用語の分野: バイポーラトランジスタ
解説の中の「能動領域」
能動領域では、ベース-エミッタ接合を順方向にしてエミッタからベースへ電子を注入し、ベース-コレクタ接合を逆方向にして、ベースを通り抜けた電子を強い電界でコレクタへ引き込みます。
NPNトランジスタを増幅に使う(能動領域で動作させる)ときのバイアス条件として正しいものはどれか。能動領域では IC = hFE × IB なので、100 × 10 µA = 1,000 µA = 1 mA になります。
直流電流増幅率hFE = 100のトランジスタにベース電流10 μAを流したとき、能動領域でのコレクタ電流はおよそいく…ベース-エミッタ間はシリコンのPN接合なので、能動領域での電圧は約0.6〜0.7 Vで、設計では VBE ≈ 0.7 V として計算することがよくあります。
能動領域で動作しているシリコンのバイポーラトランジスタのベース-エミッタ間電圧VBEの目安として正しいものはどれか。
「能動領域」が出てくる問題(4問)
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