次世代メモリ

MTJのトンネル磁気抵抗比(TMR比)の説明として正しいものはどれか。

  1. A磁化が平行のときと反平行のときの抵抗の差を、平行のときの抵抗で割った比
  2. B絶縁層の厚さと磁性層の厚さの比
  3. CMTJに流せる最大電流
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正解：A. 磁化が平行のときと反平行のときの抵抗の差を、平行のときの抵抗で割った比

TMR比は (R反平行 − R平行) / R平行 で表され、2つの状態の抵抗の違いの大きさを示します。TMR比が大きいほど0と1を読み分けやすくなります。MgOのトンネル障壁を使うと、室温で100%を超える大きなTMR比が得られます。

  • A. 正しい。2つの状態の抵抗の違いの比です。
  • B. 膜厚の比ではありません。
  • C. 最大電流はTMR比とは別の特性です。
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