次世代メモリ

MTJで、2つの磁性層の磁化の向きが平行のときと反平行のときの抵抗の関係として正しいものはどれか。

  1. Aどちらも同じ抵抗である
  2. B平行のときの方が抵抗が高い
  3. C平行のときの方が抵抗が低い
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正解:C. 平行のときの方が抵抗が低い

磁化が平行のときは、同じ向きのスピンをもつ電子が絶縁層をトンネルしやすく、抵抗が低くなります。反平行のときはトンネルしにくくなり、抵抗が高くなります。この抵抗の違いで0と1を区別します。

磁気トンネル接合(MTJ)の2つの状態 自由層(書き換える) トンネル障壁(MgO) 参照層(固定) 平行 抵抗が低い 反平行 抵抗が高い
  • A. 抵抗が同じでは情報を読み出せません。
  • B. 抵抗が高くなるのは反平行のときです。
  • C. 正しい。平行のときに抵抗が低くなります。
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