전력 반도체

GaN HEMT에서 전류가 흐르는 채널로 올바른 것은 무엇입니까?

  1. A게이트 아래에 형성되는 p형 반전층
  2. B불순물을 고농도로 도핑한 두꺼운 n형 층
  3. CAlGaN/GaN 계면에 분극으로 생기는 2차원 전자가스(2DEG)
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정답: C. AlGaN/GaN 계면에 분극으로 생기는 2차원 전자가스(2DEG)

GaN HEMT에서는 AlGaN과 GaN의 계면에 자발 분극과 압전 분극의 차이로 인해 약 10¹³ cm⁻²에 이르는 고밀도의 2차원 전자가스(2DEG)가 생깁니다. 불순물을 도핑하지 않고도 전자가 생기므로 산란이 적어 이동도가 약 2000 cm²/V·s로 높고, 낮은 온 저항과 고속 스위칭을 양립할 수 있습니다. 2DEG는 게이트 전압 0 V에서도 존재하므로 기본 구조는 노멀리 온형이 됩니다.

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