パワー半導体

IGBTの説明として正しいものはどれか。

  1. A2つのPN接合だけをもつ2端子の素子
  2. BMOSゲートで駆動し、バイポーラ動作による伝導度変調で低いオン電圧を得る素子
  3. C光を照射して導通させるサイリスタ
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正解：B. MOSゲートで駆動し、バイポーラ動作による伝導度変調で低いオン電圧を得る素子

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、MOSFETの入力部とバイポーラトランジスタの出力部を組み合わせた構造です。電圧で駆動できるため駆動回路が簡単で、オン時にはコレクタ側から注入された少数キャリアがドリフト層の抵抗を下げる(伝導度変調)ため、高耐圧でもオン電圧を低くできます。

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