MOSFET

MOS構造のフラットバンド電圧の説明として正しいものはどれか。

  1. Aチャネルが強反転するときのゲート電圧
  2. Bゲート絶縁膜が破壊するときのゲート電圧
  3. C半導体表面でバンドが曲がらない(平らになる)ときのゲート電圧
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正解:C. 半導体表面でバンドが曲がらない(平らになる)ときのゲート電圧

フラットバンド電圧は、半導体表面のエネルギーバンドが曲がらず平らになるゲート電圧です。ゲート電極と半導体の仕事関数差と、絶縁膜中や界面の電荷によって決まります。しきい値電圧は、このフラットバンド電圧に、反転を起こすのに必要な電圧を加えたものになります。

  • A. 強反転するときの電圧はしきい値電圧です。
  • B. 絶縁膜が破壊する電圧は絶縁破壊電圧です。
  • C. 正しい。表面のバンドが平らになるときのゲート電圧です。
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