MOSFET
MOS 구조의 플랫밴드 전압에 대한 설명으로 올바른 것은?
- A채널이 강반전될 때의 게이트 전압
- B게이트 절연막이 파괴될 때의 게이트 전압
- C반도체 표면에서 밴드가 휘지 않는(평평해지는) 때의 게이트 전압
정답과 해설 보기
정답: C. 반도체 표면에서 밴드가 휘지 않는(평평해지는) 때의 게이트 전압
플랫밴드 전압 VFB는 반도체 표면의 밴드가 휘지 않고 평평해지는 게이트 전압이며, VFB = φms − Qox/Cox(일함수 차와 절연막 속·계면의 전하)로 정해집니다. 문턱 전압은 VFB에 반전에 필요한 2φF와 공핍층 전하에 의한 전압을 더한 것입니다. C-V 측정에서 VFB의 어긋남을 보면 절연막 속의 전하나 오염(Na 이온 등)을 평가할 수 있어 공정 관리의 중요한 지표가 됩니다.
- A. 강반전될 때의 전압은 문턱 전압입니다.
- B. 절연막이 파괴되는 전압은 절연 파괴 전압입니다.
- C. 올바릅니다. 표면의 밴드가 평평해질 때의 게이트 전압입니다.