MOSFET
關於MOS結構的平帶電壓的說明，下列何者正確？
- A通道強反轉時的閘極電壓
- B閘極絕緣膜崩潰時的閘極電壓
- C半導體表面能帶不彎曲（變平）時的閘極電壓
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正確答案：C. 半導體表面能帶不彎曲（變平）時的閘極電壓
平帶電壓VFB是半導體表面的能帶不彎曲而變平時的閘極電壓，由 VFB = φms − Qox/Cox（功函數差，以及絕緣膜中、界面的電荷）決定。臨界電壓是在VFB上加上反轉所需的2φF與空乏層電荷所對應的電壓。從C-V量測觀察VFB的偏移，就能評估絕緣膜中的電荷與污染（Na離子等），是製程管理的重要指標。
- A. 強反轉時的電壓是臨界電壓。
- B. 絕緣膜崩潰的電壓是絕緣崩潰電壓。
- C. 正確。是表面能帶變平時的閘極電壓。