MOSFET
MOSFET의 펀치스루에 대한 설명으로 올바른 것은?
- A채널의 이동도가 온도에 따라 내려가는 것
- B소스와 드레인의 공핍층이 이어져 게이트로 제어할 수 없는 전류가 흐르는 것
- C게이트 절연막이 절연 파괴되는 것
정답과 해설 보기
정답: B. 소스와 드레인의 공핍층이 이어져 게이트로 제어할 수 없는 전류가 흐르는 것
채널이 짧고 기판의 농도가 낮으면 드레인 전압으로 드레인 쪽 공핍층이 소스 쪽 공핍층과 이어져, 게이트와 무관하게 기판의 깊은 곳을 전류가 흘러 끌 수 없게 됩니다. 이것이 펀치스루입니다. 대책은 소스·드레인 아래에 고농도 층(헤일로/포켓 주입)을 넣거나, 접합을 얕게 하거나, 나아가 FinFET이나 GAA처럼 게이트로 채널을 둘러싸 제어할 수 없는 전류 경로를 없애는 것입니다.
- A. 이동도의 온도 변화는 펀치스루가 아닙니다.
- B. 올바릅니다. 공핍층이 이어져 제어할 수 없는 전류가 흐릅니다.
- C. 절연막의 파괴는 게이트 절연 파괴이며 펀치스루와는 별개의 현상입니다.