첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

나노시트형 GAA 트랜지스터의 「나노시트」가 가리키는 것으로 올바른 것은?

  1. A칩을 보호하는 시트 모양의 필름
  2. B두께 수 nm의 얇은 판 모양 실리콘 채널로, 위아래로 쌓아서 사용한다
  3. C게이트 절연막에 사용하는 얇은 금속판
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정답: B. 두께 수 nm의 얇은 판 모양 실리콘 채널로, 위아래로 쌓아서 사용한다

나노시트는 두께 5 nm 전후, 폭 십수~수십 nm의 얇은 판 모양 실리콘 채널로, 이것을 3장 정도 위아래로 쌓고 각각을 게이트가 전체 둘레에서 둘러쌉니다. FinFET의 핀을 옆으로 눕혀 쌓아 놓은 듯한 구조이며, 시트의 폭으로 전류량을 조정할 수 있습니다. 시트 간격은 약 10 nm이고, 그 틈에 게이트 절연막과 게이트 금속을 매립하는 고도의 성막 기술이 필요합니다.

  • A. 보호용 필름이 아닙니다.
  • B. 맞습니다. 얇은 판 모양의 채널을 쌓은 것입니다.
  • C. 게이트 절연막은 High-k 등의 절연물이며 금속판이 아닙니다.
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