첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
EOT(등가 산화막 두께)에 대한 설명으로 올바른 것은?
- AHigh-k 막 등의 게이트 절연막을 같은 게이트 용량을 주는 SiO2 막의 두께로 환산한 값
- B게이트 절연막의 실제 물리적인 막 두께
- C배선층의 두께
정답과 해설 보기
정답: A. High-k 막 등의 게이트 절연막을 같은 게이트 용량을 주는 SiO2 막의 두께로 환산한 값
EOT는 게이트 절연막의 용량을 SiO2(비유전율 3.9)로 구현했을 때의 막 두께로 환산한 값이며, EOT = 물리 막 두께 × 3.9/ε입니다. 비유전율 20인 High-k 막이라면 물리 막 두께 약 5 nm에서 EOT가 1 nm가 됩니다. 첨단 제품의 EOT는 계면층을 포함해 약 0.8~1 nm입니다. 실제 전기적 두께에는 반전층의 양자 효과 등에 의한 분량도 더해지므로 측정값(CET)은 EOT보다 조금 커집니다.