첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

트랜지스터의 채널에 변형(응력)을 가하는 기술의 주된 목적은?

  1. A문턱 전압을 0 V로 하기 위해
  2. B캐리어의 이동도를 높여 구동 전류를 늘리기 위해
  3. C게이트 용량을 작게 하기 위해
정답과 해설 보기

정답: B. 캐리어의 이동도를 높여 구동 전류를 늘리기 위해

실리콘 결정에 변형을 가하면 밴드 구조가 바뀌어 캐리어의 유효 질량과 산란이 줄어들고 이동도가 향상됩니다. nMOS에는 전류 방향의 인장 변형, pMOS에는 압축 변형이 효과적이며, pMOS에서는 소스·드레인에 SiGe를 매립하고 nMOS에서는 인장 응력을 가진 질화막으로 덮는 방법 등이 사용됩니다. 90 nm 세대(2003년경)부터 도입되어 미세화와 나란히 성능 향상의 기둥이 되었습니다.

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