Vlakvormig defect waarbij de stapelvolgorde van atoomvlakken in het kristal is verstoord. Problematisch in onder meer epitaxiale lagen, thermische oxidatie (OSF) en SiC-kristallen.
Japanse benaming: 積層欠陥
“Stapelfout (stacking fault)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: C. Stapelfout (stacking fault)
Een stapelfout is een defect waarbij de stapelvolgorde van de atoomvlakken van het kristal (ABCABC… op het {111}-vlak van silicium) lokaal is verstoord. Bij epitaxiale groei ontstaat het vanuit verontreinigingen, deeltjes of krassen op het substraatoppervlak en het verschijnt op het oppervlak als driehoekig of vierkant patroon, zodat het met optische inspectie kan worden geteld. Het veroorzaakt onder meer lekstroom in de component, dus reiniging vóór de groei en oppervlaktebehandeling met een waterstofbake zijn belangrijk.
Een stapelfout is een defect waarbij de stapelvolgorde van de atoomvlakken van het kristal (ABCABC… op het {111}-vlak van silicium) lokaal is verstoord.
Welk veelvoorkomend kristaldefect in epitaxiale lagen is ee…Epitaxiale groei 4H-SiC Autodoping Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie) Kritische laagdikte Laterale epitaxiale overgroei (ELO) MBE (molecular beam epitaxy) Misfit-dislocatie