Wat is Misfit-dislocatie?

Dislocatie die aan het grensvlak van kristallen met verschillende roosterconstanten ontstaat om de spanning te ontspannen. Treedt op wanneer de gegroeide laag de kritische dikte overschrijdt.

Japanse benaming: ミスフィット転位

Vakgebied: Epitaxiale groei

Verwante termen

4H-SiC Autodoping Epitaxiale groei Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie) Kritische laagdikte Laterale epitaxiale overgroei (ELO) MBE (molecular beam epitaxy) MOCVD (metaalorganische dampafzetting)

Naar de woordenlijst