Groeimethode waarbij kristal uit een opening in een masker groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt. Dislocaties uit de onderlaag planten zich moeilijk voort in het deel boven het masker, zodat het aantal dislocaties in onder meer GaN afneemt.
Japanse benaming: 横方向エピタキシャル成長(ELO)
“Laterale epitaxiale overgroei (ELO)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: A. Laterale epitaxiale overgroei (ELO)
Bij ELO worden in een masker van bijvoorbeeld SiO2 strookvormige openingen gemaakt, waaruit het kristal groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt en samenvloeit. Dislocaties die vanaf het substraat omhoog lopen worden door het masker tegengehouden, zodat de dislocatiedichtheid in het gebied boven het masker met enkele ordes van grootte afneemt. De techniek werd eind jaren 1990 gebruikt om de levensduur van blauwviolette lasers op GaN-basis sterk te verlengen, en er zijn ook afgeleide technieken zonder masker ontwikkeld.
Bij ELO worden in een masker van bijvoorbeeld SiO2 strookvormige openingen gemaakt, waaruit het kristal groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt en samenvloeit.
Hoe heet de techniek waarbij bij bijvoorbeeld GaN het krist…GaN (galliumnitride) 4H-SiC Autodoping Epitaxiale groei Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie) Kritische laagdikte MBE (molecular beam epitaxy) Misfit-dislocatie