Maximale laagdikte waarbij een laag met een afwijkende roosterconstante bij heteroepitaxiale groei gespannen kan blijven groeien zonder dislocaties te vormen. Daarboven ontstaan misfit-dislocaties.
Japanse benaming: 臨界膜厚
“Kritische laagdikte” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: C. De maximale laagdikte waarbij de film gespannen kan groeien zonder dislocaties te vormen
Films met een andere roosterconstante groeien zolang ze dun zijn gespannen mee met het substraat (coherente groei). Naarmate de laagdikte toeneemt, groeit de rekenergie en boven de kritische laagdikte ontstaan misfit-dislocaties, waardoor de spanning relaxeert. Hoe groter de mismatch, hoe kleiner de kritische laagdikte; bij SiGe met 20% Ge is deze bijvoorbeeld enkele tientallen nm. Het is een belangrijke waarde bij het ontwerpen van gespannen SiGe-lagen en kwantumputten zonder dislocaties.
Naarmate de laagdikte toeneemt, groeit de rekenergie en boven de kritische laagdikte ontstaan misfit-dislocaties, waardoor de spanning relaxeert.
Welke uitspraak over de kritische laagdikte bij heteroepita…Boven de kritische laagdikte ontstaan misfit-dislocaties aan het grensvlak om de spanning te relaxeren.
Welk probleem treedt vooral op wanneer het verschil in roos…SiGe (silicium-germanium) Roostermismatch 4H-SiC Autodoping Epitaxiale groei Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie) Laterale epitaxiale overgroei (ELO) MBE (molecular beam epitaxy)