Het laten groeien van een monokristallijne laag van een ander materiaal dan het substraat, zoals SiGe op silicium of GaN op saffier. Bij hetzelfde materiaal spreekt men van homo-epitaxie.
Japanse benaming: ヘテロエピタキシー
“Heteroepitaxie” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: B. De groei van SiGe op een siliciumsubstraat
Het laten groeien van hetzelfde materiaal als het substraat heet homo-epitaxie en van een ander materiaal heteroepitaxie. SiGe op silicium, GaN op saffier of SiC en AlGaAs op GaAs zijn voorbeelden van heteroepitaxie, waarbij het beheersen van spanning en defecten door verschillen in roosterconstante en thermische uitzetting een uitdaging is. SiO2 uit thermische oxidatie is een amorfe film die ontstaat doordat silicium wordt verbruikt, en dus geen epitaxiale groei.
Het laten groeien van hetzelfde materiaal als het substraat heet homo-epitaxie en van een ander materiaal heteroepitaxie.
Welk voorbeeld van heteroepitaxiale groei is juist?SiGe (silicium-germanium) GaN (galliumnitride) SiC (siliciumcarbide) GaAs (galliumarsenide) Thermische oxidatie Epitaxiale groei 4H-SiC Autodoping Gespannen silicium (strained silicon) HVPE (hydride-dampfase-epitaxie)