Défaut plan où l'ordre d'empilement des plans atomiques du cristal est perturbé (stacking fault). Problématique dans les couches épitaxiales, l'oxydation thermique (OSF), les cristaux de SiC, etc.
Nom japonais: 積層欠陥
« Faute d'empilement » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Croissance épitaxiale.
Domaine: Croissance épitaxiale
Réponse : C. Faute d'empilement
La faute d'empilement est un défaut dans lequel l'ordre d'empilement des plans atomiques du cristal (ABCABC… pour les plans {111} du silicium) est localement perturbé. En croissance épitaxiale, elle naît à partir de contaminations, de particules ou de rayures sur la surface du substrat, et apparaît en surface sous forme de motifs triangulaires ou carrés que l'inspection optique permet de dénombrer. Comme elle provoque notamment des courants de fuite dans les dispositifs, le nettoyage avant croissance et le traitement de surface par recuit hydrogène sont importants.
La faute d'empilement est un défaut dans lequel l'ordre d'empilement des plans atomiques du cristal (ABCABC… pour les plans {111} du silicium) est localement perturbé.
Quel défaut cristallin typique des couches épitaxiales corr…Croissance épitaxiale Ouverture numérique (NA) Recuit 4H-SiC Autodopage Croissance épitaxiale latérale (ELO) Croissance par avancée de marches (step-flow) Désaccord de maille Dislocation de désaccord (misfit dislocation) Dislocation traversante