Laagafzetting (CVD, PVD)

Hoe heet het verschijnsel bij reactief sputteren dat, als de stroom van reactiegas te veel wordt verhoogd, het oppervlak van het target met een verbinding wordt bedekt en de depositiesnelheid plotseling daalt?

  1. ATargetvergiftiging (poisoning)
  2. BBlooming
  3. CStiction
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Targetvergiftiging (poisoning)

Bij reactief sputteren raakt bij meer reactiegas het oppervlak van het target zelf bedekt met nitride of oxide. Omdat verbindingen een lagere sputteropbrengst hebben dan metalen, daalt de depositiesnelheid plotseling tot een fractie. Dit is targetvergiftiging (poisoning); ook als het gas wordt verminderd, wordt de verbinding op het oppervlak niet direct verwijderd, zodat de depositiesnelheid hysterese vertoont ten opzichte van de gasstroom. Tegenmaatregelen zijn onder meer het regelen van het gas door de plasma-emissie te bewaken en stabiel te werken in het overgangsgebied.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welke methode wordt gebruikt om de spanning van plasma-CVD-siliciumnitride af te stellen van drukspanning tot trekspanning?
  2. In welke categorie valt het afzetten van lagen door sputteren?
  3. Welke uitspraak over ALD (atomic layer deposition) is juist?
  4. Wat is het belangrijkste voordeel van plasma-CVD (PECVD)?
  5. Welke uitspraak over stapdekking (step coverage) bij depositie is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp