Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Wat is de meest passende reden om de basis van een bipolaire transistor dun te maken?

  1. AOm de doorslagspanning van de collector te verhogen
  2. BOm de basisweerstand te verlagen
  3. COm recombinatie in de basis te verminderen en de stroomversterking te verhogen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om recombinatie in de basis te verminderen en de stroomversterking te verhogen

Een deel van de vanuit de emitter in de basis geïnjecteerde ladingsdragers recombineert tijdens de passage door de basis en gaat verloren; dat wordt de basisstroom. Is de basis aanzienlijk dunner dan de diffusielengte, dan wordt de transittijd korter en bereikt het grootste deel van de ladingsdragers de collector, zodat de stroomversterking hoger en ook het hoogfrequentgedrag beter wordt. Daar staat tegenover dat de basisweerstand groter wordt en punch-through, waarbij het uitputtingsgebied van de collector de emitter bereikt, gemakkelijker optreedt, wat qua doorslagspanning ongunstig is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welk werkgebied van een bipolaire transistor komt overeen met de aan-toestand wanneer hij als schakelaar wordt gebruikt?
  2. Hoe is de fase van de uitgangsspanning van een gemeenschappelijke-emitterversterker ten opzichte van de ingangsspanning?
  3. Wat is de belangrijkste reden om bij een NPN-transistor de onzuiverheidsconcentratie van de emitter hoger te maken dan die van de basis?
  4. Hoeveel bedraagt de stroomversterking β in gemeenschappelijke-emitterschakeling ongeveer voor een bipolaire transistor met stroomversterking in gemeenschappelijke-basisschakeling α = 0,99?
  5. Welke uitspraak over het Early-effect van een bipolaire transistor is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp