Niet-vluchtig geheugen waarin de geheugencellen in serie zijn geschakeld. Het is dicht te integreren en gemakkelijk tot grote capaciteit uit te breiden; het wordt gebruikt in ssd's en geheugenkaarten.
Japanse benaming: NAND型フラッシュメモリ
“NAND-flashgeheugen” komt voor in 9 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. SRAM en flashgeheugen, Halfgeleiderindustrie en markt.
Vakgebied: SRAM en flashgeheugen
Antwoord: B. Omdat geheugencellen in serie zijn geschakeld, is hoge integratie gemakkelijk en is het geschikt voor opslag met grote capaciteit
NAND schakelt enkele tientallen geheugencellen in serie en laat het contact per cel weg, zodat de oppervlakte per bit klein is en het geschikt is voor grote capaciteiten, en wordt gebruikt in SSD’s en geheugenkaarten. In ruil daarvoor is het lezen traag omdat het door de seriële cellen gaat, en vindt toegang plaats per pagina. Bij NOR zijn alle cellen parallel met de bitlijn verbonden, zodat willekeurig lezen snel is en directe uitvoering van code mogelijk is. Beide zijn niet-vluchtig.
Antwoord: A. De geheugencellen zijn in verticale richting in vele lagen gestapeld om de capaciteit te vergroten
Omdat verdere miniaturisering in het vlak bij ca. 15 nm bijna aan zijn grens kwam, wordt sinds ca. 2013 3D-NAND, waarin cellen verticaal worden gestapeld, in massa geproduceerd en is het de hoofdstroom geworden. In een dikke laag van afwisselend geleidende en isolerende lagen worden in één keer diepe cilindrische gaten (channel holes) geëtst en op de wand van de gaten worden cellen gemaakt. De capaciteit kan toenemen zonder de cellen krampachtig te verkleinen, en ook interferentie neemt af. Drie bits per cel is TLC, dat samen met 3D-NAND wordt gebruikt.
Het grootste deel van de omzet van geheugenhalfgeleiders komt van DRAM, dat wordt gebruikt als werkgeheugen van computers en smartphones, en NAND-flashgeheugen, dat wordt gebruikt in SSD's en smartphoneopslag.
Welke combinatie van twee producten is juist voor het groot…TLC (triple-level cell) Garbage collection Drempelspanning (threshold voltage) SLC (single-level cell) Contact Bitlijn Via Fowler-Nordheim-tunnelstroom (FN) Wear leveling HBM (high bandwidth memory)