Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Wat is nodig wanneer in NAND-flashgeheugen nieuwe gegevens worden geschreven naar een pagina waar al gegevens op staan?

  1. AHet blok met die pagina eerst wissen en daarna schrijven
  2. BHet kan direct worden overschreven
  3. COverschrijven met een lagere schrijfspanning
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het blok met die pagina eerst wissen en daarna schrijven

NAND kan bij het schrijven de drempelspanning alleen in de richting omhoog veranderen (1→0), en om terug te gaan is wissen nodig. Omdat wissen alleen per blok, groter dan een pagina, kan, is overschrijven niet mogelijk. De SSD-controller schrijft nieuwe gegevens naar een andere vrije pagina, werkt de tabel van logische adressen (FTL) bij, maakt de oude pagina ongeldig en wist later gezamenlijk. Dit mechanisme is de basis van het beheer van prestaties en levensduur van SSD’s.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke uitspraak over het verschil tussen EEPROM en flashgeheugen is juist?
  2. Welke uitspraak over de statische ruismarge (SNM), die de stabiliteit van een SRAM-cel weergeeft, is juist?
  3. Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal keren dat NAND-flashgeheugen van het type SLC kan worden herschreven?
  4. Welke uitspraak over het “beheer van defecte blokken” van NAND-flash is juist?
  5. Welke uitspraak over “over-provisioning” van SSD’s is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp