Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Welke uitspraak over 3D-NAND-flashgeheugen is juist?

  1. ADe geheugencellen zijn in verticale richting in vele lagen gestapeld om de capaciteit te vergroten
  2. BHet werkt met drie soorten voedingsspanning
  3. CEr worden 3 bits in één cel opgeslagen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De geheugencellen zijn in verticale richting in vele lagen gestapeld om de capaciteit te vergroten

Omdat verdere miniaturisering in het vlak bij ca. 15 nm bijna aan zijn grens kwam, wordt sinds ca. 2013 3D-NAND, waarin cellen verticaal worden gestapeld, in massa geproduceerd en is het de hoofdstroom geworden. In een dikke laag van afwisselend geleidende en isolerende lagen worden in één keer diepe cilindrische gaten (channel holes) geëtst en op de wand van de gaten worden cellen gemaakt. De capaciteit kan toenemen zonder de cellen krampachtig te verkleinen, en ook interferentie neemt af. Drie bits per cel is TLC, dat samen met 3D-NAND wordt gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Wat is de belangrijkste reden dat er een bovengrens is aan het aantal keren dat flashgeheugen kan worden herschreven?
  2. Wat is het juiste doel van wear leveling zoals gebruikt in onder meer SSD’s?
  3. Wat is de juiste eenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gewist?
  4. Welke uitspraak over de eigenschappen van SRAM is juist?
  5. Welk materiaal wordt gewoonlijk gebruikt voor de laag die de lading opslaat in de ladingvangende (charge trap) cellen die veel in 3D-NAND worden gebruikt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp