Stroom die loopt wanneer elektronen onder een sterk veld door tunneling door de driehoekige barrière van een dunne isolatielaag gaan. Wordt gebruikt voor schrijven en wissen van NAND-flash.
Japanse benaming: FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム)
“Fowler-Nordheim-tunnelstroom (FN)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. SRAM en flashgeheugen.
Vakgebied: SRAM en flashgeheugen
Antwoord: A. FN-tunnelstroom (Fowler-Nordheim)
Bij NAND wordt een hoge spanning van ca. 20 V op de controlegate gezet en worden via de dunne tunneloxidelaag elektronen vanuit het kanaal in de ladingopslaglaag geïnjecteerd. Deze kwantummechanische tunnelstroom is de FN-tunnelstroom. Omdat de stroom per cel zeer klein is, kunnen tienduizenden cellen van een pagina tegelijk worden geschreven. Bij NOR wordt ook vaak channel hot electron injection gebruikt, waarbij elektronen die door spanning op de drain zijn versneld worden geïnjecteerd, wat snel is maar een grote stroom vergt.
Deze kwantummechanische tunnelstroom is de FN-tunnelstroom.
Welke methode van elektroneninjectie wordt hoofdzakelijk ge…NAND-flashgeheugen Via 3D NAND 6T-SRAM-cel Charge-trap-cel Floating gate Garbage collection Niet-vluchtig geheugen NOR-flashgeheugen NVMe