Wat is SLC (single-level cell)?

Methode waarbij één flashgeheugencel 1 bit opslaat. Er zijn maar twee drempelspanningstoestanden, dus het is sneller dan multilevel-methoden en kan vaker worden herschreven.

Japanse benaming: SLC(シングルレベルセル)

“SLC (single-level cell)” komt voor in 8 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. SRAM en flashgeheugen, Opkomende geheugentechnologieën.

Vakgebied: SRAM en flashgeheugen

Nu oefenen: vragen over SLC (single-level cell)

Wat is het belangrijkste doel van het mechanisme bij TLC- en QLC-SSD’s waarbij een deel van het gebied als SLC wordt gebruikt om schrijfbewerkingen tijdelijk op te vangen?

  1. AOm de capaciteit te vergroten
  2. BOm gegevens te versleutelen
  3. COm het schrijven te versnellen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om het schrijven te versnellen

TLC en QLC maken toestanden fijn, dus schrijven kost tijd. Daarom wordt een deel van de vrije ruimte in SLC-modus gebruikt, waarin eerst snel wordt geschreven en de gegevens bij inactiviteit naar het TLC/QLC-gebied worden verplaatst (SLC-cache). Als bij het continu schrijven van veel gegevens de cache overloopt, daalt de snelheid sterk tot de eigenlijke schrijfsnelheid, dus bij het kopiëren van grote bestanden kan de snelheid halverwege afnemen.

Welke volgorde van SLC, MLC en TLC op aantal herschrijfbare keren (van veel naar weinig) is juist?

  1. ATLC > MLC > SLC
  2. BSLC > MLC > TLC
  3. CMLC > SLC > TLC
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. SLC > MLC > TLC

Hoe minder bits per cel, hoe groter de afstand tussen de toestanden van de drempelspanning, en zelfs als de oxidelaag degradeert en de verdeling zich verbreedt kan nog correct worden gelezen, zodat het aantal herschrijvingen groter is. In het algemeen geldt SLC > MLC > TLC > QLC, met als richtwaarden ca. 100.000 voor SLC, enkele duizenden tot 10.000 voor MLC, enkele duizenden voor TLC en ca. 1000 voor QLC. Voor industriële toepassingen die hoge duurzaamheid vereisen en voor cachegebieden van SSD’s wordt SLC-modus gebruikt.

“SLC (single-level cell)” in de toelichting

Vragen met “SLC (single-level cell)” (8)

  1. Wat is het belangrijkste doel van het mechanisme bij TLC- en QLC-SSD’s waarbij een deel van het gebied als SLC wordt gebruikt om schrijfbewerkingen tijdelijk op te vangen?
  2. Welke volgorde van SLC, MLC en TLC op aantal herschrijfbare keren (van veel naar weinig) is juist?
  3. Hoeveel bits slaat een flashgeheugen van het type SLC (Single-Level Cell) op in één cel?
  4. Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal keren dat NAND-flashgeheugen van het type SLC kan worden herschreven?
  5. Hoe heet de methode waarbij in flashgeheugen 3 bits aan informatie in één geheugencel worden opgeslagen?
  6. Wat is de belangrijkste reden dat er een bovengrens is aan het aantal keren dat flashgeheugen kan worden herschreven?
  7. Hoeveel toestanden van de drempelspanning moet één cel van QLC-NAND-flashgeheugen (4 bits per cel) onderscheiden?
  8. Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' is juist?

Vergelijkingen met deze term

Verwante termen

TLC (triple-level cell) Drempelspanning (threshold voltage) NAND-flashgeheugen Wear leveling Storage class memory Niet-vluchtig geheugen Via CXL 3D NAND 6T-SRAM-cel

Naar de woordenlijst