Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Wat is de basiseenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gelezen en geschreven (geprogrammeerd)?

  1. ABlok
  2. BPagina
  3. CDe hele chip
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Pagina

Bij NAND gebeuren lezen en schrijven per pagina (enkele KB tot ruim tien KB, de laatste jaren ca. 16 KB) en wissen per blok van enkele honderden pagina’s. Een pagina komt overeen met de cellen van één wordlijn, en bij multi-levelcellen worden aan één wordlijn meerdere pagina’s toegewezen (3 pagina’s bij TLC). Dat de eenheden van schrijven en wissen verschillen, is de fundamentele reden waarom beheer zoals garbage collection nodig is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke interfacestandaard op basis van PCI Express wordt veel gebruikt voor de verbinding tussen snelle SSD’s en de host?
  2. Welke uitspraak over de “data-retentiespanning” die de ondergrens bepaalt wanneer in SRAM tijdens standby de voedingsspanning wordt verlaagd om de lekstroom te verminderen, is juist?
  3. Welk ontwerp is juist om bij een 6T-SRAM-cel te voorkomen dat de inhoud van de cel bij het lezen omslaat (leesverstoring)?
  4. Welk voorbeeld van “schrijfondersteuning” (write assist) om schrijffouten van SRAM bij lage spanning te voorkomen is juist?
  5. Wat is de juiste reden dat bij multi-level-NAND-flash (MLC of TLC) de bitpatronen die aan naburige toestanden van de drempelspanning worden toegewezen zo worden gekozen dat ze slechts in 1 bit verschillen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp