Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Wat is de juiste eenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gewist?

  1. APer bit
  2. BPer blok
  3. CPer byte
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Per blok

Bij NAND gebeuren lezen en schrijven per pagina (ca. 16 KB), maar wissen kan alleen per blok van enkele honderden pagina’s (enkele MB tot enkele tientallen MB). Wissen gebeurt door hoge spanning op de hele well te zetten en alle elektronen in één keer weg te halen, vandaar deze eenheid. Ook als slechts een deel wordt herschreven, kan niet worden overschreven: nieuwe gegevens worden naar een vrije pagina geschreven, de oude pagina wordt ongeldig gemaakt en later bij garbage collection gezamenlijk gewist.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke uitspraak over de eigenschappen van SRAM is juist?
  2. Welk materiaal wordt gewoonlijk gebruikt voor de laag die de lading opslaat in de ladingvangende (charge trap) cellen die veel in 3D-NAND worden gebruikt?
  3. Onder welke omstandigheid verslechtert het gegevensbehoud (retentie) van flashgeheugen gemakkelijk?
  4. Wat is de meest geschikte reden dat de celoppervlakte van SRAM in recente geavanceerde processen moeilijker kleiner wordt dan die van logica?
  5. Welke techniek wordt in de controller van NAND-flash gebruikt om de toename van leesfouten door multi-levelopslag op te vangen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp