Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Welke methode van elektroneninjectie wordt hoofdzakelijk gebruikt voor het schrijven (programmeren) van NAND-flashgeheugen?

  1. AFN-tunnelstroom (Fowler-Nordheim)
  2. BExcitatie van elektronen door licht
  3. CVerplaatsing van elektronen door een magnetisch veld
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. FN-tunnelstroom (Fowler-Nordheim)

Bij NAND wordt een hoge spanning van ca. 20 V op de controlegate gezet en worden via de dunne tunneloxidelaag elektronen vanuit het kanaal in de ladingopslaglaag geïnjecteerd. Deze kwantummechanische tunnelstroom is de FN-tunnelstroom. Omdat de stroom per cel zeer klein is, kunnen tienduizenden cellen van een pagina tegelijk worden geschreven. Bij NOR wordt ook vaak channel hot electron injection gebruikt, waarbij elektronen die door spanning op de drain zijn versneld worden geïnjecteerd, wat snel is maar een grote stroom vergt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Hoe heet het verschijnsel in NAND-flash waarbij, als hetzelfde blok vele malen wordt gelezen, de drempelspanning van niet-gelezen cellen geleidelijk verandert?
  2. Hoeveel toestanden van de drempelspanning moet één cel van QLC-NAND-flashgeheugen (4 bits per cel) onderscheiden?
  3. Wat is het belangrijkste doel van het mechanisme bij TLC- en QLC-SSD’s waarbij een deel van het gebied als SLC wordt gebruikt om schrijfbewerkingen tijdelijk op te vangen?
  4. Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer de voedingsspanning van SRAM wordt verlaagd?
  5. Wat is het juiste voordeel van de 8T-SRAM-cel, waarbij aan de 6T-SRAM transistors alleen voor lezen zijn toegevoegd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp