Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal keren dat NAND-flashgeheugen van het type SLC kan worden herschreven?

  1. Aca. 100 keer
  2. Bca. 100.000 keer
  3. Cca. 100 miljoen keer
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. ca. 100.000 keer

De richtwaarde voor het aantal herschrijvingen van SLC is ca. 50.000 tot 100.000, voor MLC enkele duizenden tot 10.000, voor TLC enkele duizenden en voor QLC ca. 1000: hoe meer bits, hoe minder. De belangrijkste oorzaak van de grens is dat de tunneloxidelaag bij elke herschrijving een beetje degradeert. De levensduur van een SSD wordt uitgedrukt in TBW (totale schrijfhoeveelheid) en DWPD (hoe vaak per dag de hele capaciteit kan worden geschreven) en wordt verlengd met wear leveling en extra ruimte.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke uitspraak over het “beheer van defecte blokken” van NAND-flash is juist?
  2. Welke uitspraak over “over-provisioning” van SSD’s is juist?
  3. Welke uitspraak over “write amplification” (schrijfversterking) van SSD’s is juist?
  4. Wat is de basiseenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gelezen en geschreven (geprogrammeerd)?
  5. Welke interfacestandaard op basis van PCI Express wordt veel gebruikt voor de verbinding tussen snelle SSD’s en de host?

Vergelijkingen bij dit onderwerp