Qu'est-ce que Mémoire flash NAND ?

Mémoire non volatile dont les cellules sont connectées en série. Très dense et facile à porter à grande capacité, elle est utilisée dans les SSD et les cartes mémoire.

Nom japonais: NAND型フラッシュメモリ

« Mémoire flash NAND » apparaît dans 8 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont SRAM et mémoire flash, Industrie et marché des semi-conducteurs.

Agencement des cellules d'une mémoire flash NAND (chaîne) Sélection WL0 WL1 WL2 WL3 Sélection Vers la ligne de bit Vers la ligne de source Cellules mémoire connectées en série NAND : moins de contacts, forte densité d'intégration. Lecture par page NOR : cellules connectées en parallèle, lisibles individuellement, mais surface plus grande
Agencement des cellules d'une mémoire flash NAND (chaîne) · Voir dans les schémas

Domaine: SRAM et mémoire flash

S'entraîner : questions sur Mémoire flash NAND

Quelle caractéristique de la mémoire flash NAND, comparée à la NOR, est correcte ?

  1. AL'accès aléatoire est rapide, ce qui convient à l'exécution directe de code
  2. BLes cellules étant connectées en série, la densité d'intégration est facile à augmenter, ce qui convient au stockage de grande capacité
  3. CC'est une mémoire volatile qui perd ses données à la coupure de l'alimentation
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Réponse : B. Les cellules étant connectées en série, la densité d'intégration est facile à augmenter, ce qui convient au stockage de grande capacité

La NAND connecte en série plusieurs dizaines de cellules et supprime le contact de chaque cellule : la surface par bit est faible, ce qui favorise les grandes capacités ; elle est utilisée dans les SSD et les cartes mémoire. En contrepartie, la lecture traverse les cellules en série et est lente, et l'accès se fait par page. Dans la NOR, chaque cellule est connectée en parallèle à la ligne de bit : la lecture aléatoire est rapide et convient à l'exécution directe de code. Les deux sont non volatiles.

Quelle description de la mémoire flash NAND 3D est correcte ?

  1. AUne mémoire dont la capacité est augmentée en empilant verticalement un grand nombre de cellules
  2. BUne mémoire fonctionnant avec trois tensions d'alimentation
  3. CUne mémoire stockant 3 bits par cellule
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Réponse : A. Une mémoire dont la capacité est augmentée en empilant verticalement un grand nombre de cellules

La miniaturisation planaire approchant ses limites vers 15 nm, la NAND 3D, qui empile les cellules verticalement, est produite en série depuis 2013 environ et domine désormais. Dans un empilement épais de couches conductrices et isolantes alternées, on perce en une fois des trous cylindriques profonds (trous de canal) et l'on forme les cellules sur leurs parois. On augmente ainsi la capacité sans réduire à l'excès les cellules, tout en diminuant les interférences. 3 bits par cellule correspond à la TLC, utilisée en combinaison avec la NAND 3D.

« Mémoire flash NAND » dans les explications

Questions mentionnant « Mémoire flash NAND » (8)

  1. Quelle caractéristique de la mémoire flash NAND, comparée à la NOR, est correcte ?
  2. Quelle description de la mémoire flash NAND 3D est correcte ?
  3. Quelle est l'unité correcte d'effacement des données dans une mémoire flash NAND ?
  4. Quel mode d'injection d'électrons est principalement utilisé pour l'écriture (programmation) de la mémoire flash NAND ?
  5. Quelle valeur est la plus proche de l'ordre de grandeur du nombre de réécritures possibles d'une mémoire flash NAND SLC ?
  6. Quelle est l'unité de base de lecture et d'écriture (programmation) des données dans une mémoire flash NAND ?
  7. Quelle caractéristique est généralement attribuée au marché des mémoires ?
  8. Quelle combinaison correspond aux deux produits représentant l'essentiel du chiffre d'affaires du marché des mémoires à semi-conducteurs ?

Comparatifs incluant ce terme

Termes associés

TLC (cellule à trois niveaux) RIE (gravure ionique réactive) Ramasse-miettes (garbage collection) HBM Contact Ligne de bit Courant tunnel FN (Fowler-Nordheim) SLC (cellule à un niveau) Répartition de l'usure (wear leveling) Ligne de mot (word line)

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