Wat is Isotroop etsen?
Etsen dat verticaal en horizontaal even snel verloopt. Het etst onder het masker door (underetch).
Japanse benaming: 等方性エッチング
“Isotroop etsen” komt voor in 4 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Etsen.
Vakgebied: Etsen
Nu oefenen: vragen over Isotroop etsen
Welk gas kan silicium zonder plasma isotroop etsen, bijvoorbeeld bij het verwijderen van offerlagen in MEMS?
- AO2 (zuurstof)
- BN2 (stikstof)
- CXeF2 (xenondifluoride)
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. XeF2 (xenondifluoride)
XeF2 is een gas dat bij ongeveer kamertemperatuur sublimeert, spontaan met silicium reageert tot onder meer SiF4 en silicium zonder plasma isotroop etst (2XeF2 + Si → 2Xe + SiF4). De selectiviteit ten opzichte van oxide- en nitridefilms, resist en veel metalen is met meer dan 1000 zeer hoog, en omdat geen vloeistof wordt gebruikt treedt nauwelijks stiction op, zodat het wordt gebruikt om MEMS-structuren uit een offerlaag van silicium los te maken.
“Isotroop etsen” in de toelichting
Etsen met dezelfde snelheid in alle richtingen is isotroop etsen.
Welke uitspraak over anisotroop etsen is juist?Er vallen geen ionen in en het ultraviolette licht van het plasma wordt tegengehouden, dus de schade is gering en isotroop etsen is mogelijk.
Welke uitspraak over de kenmerken van etsen van het downflo…Bij isotroop etsen wordt verticaal en zijwaarts even snel geëtst, dus op het moment dat 1 µm is weggeëtst en de ondergrond is bereikt, is vanaf de rand van het masker ook zijwaarts circa 1 µm weggeëtst (undercut).
Hoe groot is bij benadering het zijwaarts weggeëtste bedrag…
Vragen met “Isotroop etsen” (4)
- Welk gas kan silicium zonder plasma isotroop etsen, bijvoorbeeld bij het verwijderen van offerlagen in MEMS?
- Welke uitspraak over anisotroop etsen is juist?
- Welke uitspraak over de kenmerken van etsen van het downflow-type, waarbij alleen in het plasma gevormde radicalen aan de wafer worden toegevoerd, is juist?
- Hoe groot is bij benadering het zijwaarts weggeëtste bedrag (undercut) vanaf de rand van het masker wanneer een film van 1 µm dik met volledig isotroop nat etsen precies tot de ondergrond wordt weggeëtst?
Vergelijkingen met deze term
Verwante termen
Plasma MEMS Selectiviteit Stiction Anisotroop etsen Downflow SiGe (silicium-germanium) Overetsen ALE (atomic layer etching) Antenne-effect